Si aplicamos a dicha unión una tensión exterior de signo contrario a la barrera de potencial interna, ésta irá disminuyendo en anchura.
A mayor tensión aplicada externamente corresponderá una barrera interna menor y podremos llegar a conseguir que dicha barrera desaparezca totalmente.
En este momento los electrones (portadores mayoritarios) de la zona N están en disposición de pasar a la zona P. Exactamente igual están los huecos de la zona P que quieren "pasar" a la zona N.
A la tensión externa que anula la barrera de potencial de la unión y la deja preparada para el paso de los respectivos portadores mayoritarios, se le denomina tensión Umbral o tensión de Barrera. Se la representa por Vu y sus valores prácticos son:
Para el Silicio Vu = 0,7 volt
Para el Germanio Vu = 0.15 volt
En esta situación, al aplicar un aumento en la tensión exterior, los electrones se sentirán atraídos por el polo positivo de la pila y los huecos por el negativo de la misma. No hay dificultad para atravesar la unión y por tanto aparecerá una corriente de mayoritarios a través del circuito. A partir de aquí, cualquier aumento de tensión provoca un aumento de la corriente.
Por lo tanto si la tensión externa aplicada supera a la tensión umbral, el diodo conduce la corriente eléctrica.
Por lo tanto si la tensión externa aplicada supera a la tensión umbral, el diodo conduce la corriente eléctrica.
Para el Silicio 0,5 a 0,75 volt
CURVA DE FUNCIONAMIENTO DEL DIODO EN POLARIZACIÓN DIRECTA
Cuando el diodo conduce la corriente eléctrica se comporta como una llave cerrada, similar al siguiente esquema:
VIDEO: unión P-N, polarización directa e inversa y comprobación del diodo
http://www.youtube.com/watch?v=gfmeTxqLeX0
